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砷化鎵GaAs晶片

砷化鎵GaAs晶片

東莞市建盟化學(xué)有限公司經(jīng)銷世界知名品牌砷化鎵GaAs晶片產(chǎn)品。砷化鎵GaAs晶片生長方式，等級，直徑，厚度，表面處理，晶向，晶向偏角，摻雜類型，電阻率，薄膜，加工服務(wù)。

產(chǎn)品詳情

Type/Dopant 導(dǎo)電類型/摻雜元素

Semi-Insulated

P-Type/Zn

N-Type/Si

N-Type/Si

Application 應(yīng)用

Micro Eletronic

LED

Laser Diode

Growth Method 長晶方式

VGF

Diameter 直徑

2", 3", 4", 6"

Orientation 晶向

(100)±0.5°

Thickness 厚度 (μm)

 350-625um±25um

OF/IF 參考邊

US EJ or Notch

Carrier Concentration 載流子濃度

-

(0.5-5)*1019

(0.4-4)*1018

(0.4-0.25)*1018

Resistivity 電阻率 (ohm-cm)

>107

(1.2-9.9)*10-3

(1.2-9.9)*10-3

(1.2-9.9)*10-3

 Mobility 電子遷移率 (cm2/V.S.)

>4000

50-120

>1000

>1500

Etch Pitch Density 位錯(cuò)密度(/cm2)

<5000

<5000

<5000

<500

TTV 平整度 [P/P] (μm)

<5

TTV 平整度 [P/E] (μm)

<10

Warp 翹曲度 (μm)

<10

Surface Finished 表面加工

P/P, P/E, E/E


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