碳化硅二極管主要用途有哪些

SiC二極管主要用在兩個(gè)方面。第一，輸入端PFC電路中，SiC二極管作為升壓和整流二極管應(yīng)用。第二，輸出端AC-DC電路中，SiC二極管作為高頻整流應(yīng)用。由于車載OBC和充電樁輸入電壓不同，OBC是220V，充電樁是380V，OBC要求SiC二極管的電壓等級(jí)是650V，充電樁要求SiC二極管的電壓等級(jí)是1200V。電流從10A到幾十安都有。

碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì)是什么

1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性。寬禁帶材料可提高器件的工作溫度，6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高達(dá)3.0eV和3.25eV，相應(yīng)本征溫度高達(dá)800℃以上;即便就是禁帶最窄的3C-SiC，其禁帶寬度也達(dá)到2.3eV左右。

2.高擊穿場(chǎng)強(qiáng)提高了耐壓，減小了尺寸。高的電子擊穿場(chǎng)強(qiáng)帶來(lái)了半導(dǎo)體功率器件擊穿電壓的提高。同時(shí)，由于電子擊穿場(chǎng)強(qiáng)提高，在增加滲雜密度條件下，碳化硅功率器件漂移區(qū)的寬帶可以降低，因此可減小功率器件的尺寸。

3.高熱導(dǎo)率提高了功率密度。熱導(dǎo)率指標(biāo)越高，材料向環(huán)境中傳導(dǎo)熱的能力越強(qiáng)，器件的溫升越小，越有利于提高功率器件的功率密度，同時(shí)更適合在高溫環(huán)境下工作。

4.強(qiáng)的抗輻射能力，更適合在外太空環(huán)境中使用。在輻射環(huán)境下，碳化硅器件的抗中子輻射能力至少是硅的4倍，因此是制作耐高溫、抗輻射的電力電子功率器件和大功率微波器件的優(yōu)良材料。