英飛凌GaN HEMT氮化鎵晶體管產(chǎn)品解決方案

英飛凌高性能 CoolGaN? 增強(qiáng)模式 HEMT 將采用頂部及底部冷卻型 SMD 封裝?？稍谙鄳?yīng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)極高的效率和功率密度，以及極佳的熱性能。此類(lèi)增強(qiáng)模式 GaN HEMT 晶體管針對(duì)消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用， 如服務(wù)器、 數(shù)據(jù)通信、電信通信、適配器/充電器、無(wú)線充電, 及音頻產(chǎn)品 ，具備市場(chǎng)上無(wú)出其右的耐用性能。

英飛凌GaN HEMT氮化鎵晶體管具體應(yīng)用

英飛凌氮化鎵CoolGaN?系列為許多應(yīng)用中的各種系統(tǒng)增添了重要價(jià)值。此類(lèi)增強(qiáng)模式 HEMT 針對(duì)消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用，如 4G/5G、數(shù)據(jù)通信、電信通信、 WIFI， 具備市場(chǎng)上無(wú)出其右的耐用性能。在服務(wù)器電源和電信通信應(yīng)用等高功率應(yīng)用中使用英飛凌GaN HEMT器件，可以節(jié)省成本，并提高每個(gè)機(jī)架的功率。得益于其硬開(kāi)關(guān)能力，還可實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)易的控制方案，同時(shí)與最佳的硅替代產(chǎn)品相比，更具效率優(yōu)勢(shì)。隨著對(duì)更快的數(shù)據(jù)通信需求的增加，用于 5G 應(yīng)用的 GaN HEMT 將實(shí)現(xiàn)更高的效率和極快的開(kāi)關(guān)速度。

英飛凌GaN HEMT氮化鎵晶體管產(chǎn)品特性

1.英飛凌的CoolGaN集成功率級(jí)(IPS)利用了市場(chǎng)上最可靠的GaN和驅(qū)動(dòng)器技術(shù)，將極致的效率和可靠性與易用性結(jié)合在一起。CoolGaN IPS將cool GaN常關(guān)增強(qiáng)型GaN開(kāi)關(guān)與專(zhuān)用的集成式EiceDRIVER柵極驅(qū)動(dòng)器結(jié)合到散熱增強(qiáng)型QFN封裝中。這種集成允許設(shè)計(jì)人員在減小無(wú)源元件尺寸的同時(shí)節(jié)省更多PCB空間，從而在更短的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更小的外形設(shè)計(jì)。

2.CoolGaN出色的可靠性、高性能和穩(wěn)定性為服務(wù)器、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、電信、無(wú)線充電、適配器和充電器、SMPS和音頻等眾多應(yīng)用領(lǐng)域的各種系統(tǒng)增加了重要價(jià)值。為了使CoolGaN開(kāi)關(guān)更易于使用和設(shè)計(jì)，我們提供了專(zhuān)用的GaN EiceDRIVERICs。借助英飛凌的系統(tǒng)解決方案，包括晶體管和驅(qū)動(dòng)器，您可以充分利用GaN的優(yōu)勢(shì)。