英飛凌晶閘管/二極管盤 Thyristor/Diode Discs

廣泛的產(chǎn)品組合包括環(huán)氧片式標(biāo)準(zhǔn)晶閘管和二極管、高功率晶閘管和陶瓷片式二極管。光觸發(fā)晶閘管（LTT）結(jié)構(gòu)十分緊湊，反應(yīng)速度極快。因此，如果沒有高功率晶閘管，高壓直流耦合器就無法成為現(xiàn)實(shí)，因?yàn)閮蓚€(gè)電網(wǎng)無法通過交流鏈接實(shí)現(xiàn)耦合。子類別有：Diode Discs；Thyristor Discs；Welding Diodes；Accessories。

英飛凌晶閘管/二極管模塊 Thyristor/Diode Modules

英飛凌為客戶提供包括晶閘管和二極管在內(nèi)的廣泛的功率模塊產(chǎn)品選擇，電壓和電流范圍分別為1200 V至4400 V和61 A至1070 A。得益于針對性設(shè)計(jì)以及高度可靠的壓力觸點(diǎn)和焊接接縫技術(shù)，該模塊系列可以兼顧成本和性能的優(yōu)化需求。模塊化結(jié)構(gòu)下的標(biāo)準(zhǔn)晶閘管和二極管組合，雙極功率半導(dǎo)體的適用范圍極廣，無論是幾瓦級(jí)還是吉瓦級(jí)皆可勝任。

英飛凌晶閘管軟起動(dòng)器模塊 Thyristor Soft Starter Modules

英飛凌軟啟動(dòng)器模塊系列能充分滿足市場對經(jīng)濟(jì)劃算的緊湊型半導(dǎo)體解決方案的需求。憑借其全新設(shè)計(jì)，Power Start專注于降低復(fù)雜性和減少元件數(shù)。它有系列電流等級(jí)。通過這一新功能，可以將模塊與旁路接觸器直接集成于典型的設(shè)計(jì)空間。Power Start具有集成式散熱器，可以方便安裝，無需使用散熱脂。該模塊采用雙面冷卻模式，因此能承受最高過載電流。

英飛凌橋式整流器和交流開關(guān) Bridge Rectifier & AC-Switches

提供采用端接設(shè)計(jì)的橋式整流模塊，如EasyBRIDGE或eupec? EconoBRIDGE??？晒┻x擇的配置中包含配有IGBT和可選NTC電阻的全控和半控整流器。該產(chǎn)品系列覆蓋了25 A至180 A電流區(qū)間，提供800 V和1600 V電壓等級(jí)。 eupec? IsoPACK?系列具有可調(diào)節(jié)負(fù)載端，包含全控、半控和不可控整流模塊。三相交流開關(guān)使eupec? IsoPACK?的產(chǎn)品區(qū)間更加完整。電流區(qū)間為85 A至205 A，電壓等級(jí)為1600 V。

英飛凌CoolSiC? 肖特基二極管

英飛凌碳化硅材料與硅材料的特性差異限制了100V-150V實(shí)際硅單極二極管（肖特基二極管）的制造，導(dǎo)通電阻和漏電流相對較高。在碳化硅材料中，肖特基二極管可以達(dá)到更高的擊穿電壓。英飛凌碳化硅產(chǎn)品系列覆蓋 600V 和 650V 到 1200V 的肖特基二極管。

英飛凌功率組件

開發(fā)了大量功率組件產(chǎn)品，為客戶量身定制成熟可靠的帶散熱器的功率組件系統(tǒng)。這些功率組件系列覆蓋我們現(xiàn)有的三條Bipolar雙極半導(dǎo)體器件，多達(dá)20多種的散熱器冷卻設(shè)計(jì)，系統(tǒng)阻斷電壓高達(dá) 20 kV、最大電流14 kA。憑借 25000 多種組件型號(hào)，我們與您攜手，共同實(shí)現(xiàn)符合客戶需求的最佳功率組件產(chǎn)品。完美協(xié)調(diào)的“Power Stack”組件產(chǎn)品 - Bipolar雙極半導(dǎo)體器件與散熱器一體安裝的功率組件設(shè)計(jì)。

英飛凌硅二極管Silicon Diodes

英飛凌推出高功率600V/650V二極管產(chǎn)品，填補(bǔ)了SiC二極管和發(fā)射極控制二極管之間的空白，從而進(jìn)一步擴(kuò)充了硅功率二極管產(chǎn)品系列。Rapid 1及Rapid 2二極管與CoolMOS?和高速IGBT（絕緣柵雙極晶體管）兼容，例如TRENCHSTOP? 5產(chǎn)品和HighSpeed 3產(chǎn)品。

英飛凌二極管裸模Diode Bare Dies

英飛凌獨(dú)特的快速恢復(fù)二極管技術(shù)，得益于超薄晶片和電場中止技術(shù)，以及降低IGBT的導(dǎo)通損耗和軟恢復(fù)能力，發(fā)射極控制二極管非常適合消費(fèi)類和工業(yè)應(yīng)用。發(fā)射極控制二極管針對英飛凌IGBT技術(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，是其理想之選。