鋁膜紙膜電容器

美國大D CORNELL DUBILIER鋁膜紙膜電容器范圍從標準交流電機運行類型到定制直流脈沖應用。僅使用業(yè)界最高等級的薄膜電介質(zhì)以確保最佳性能。我們是為數(shù)不多的用于高性能電源轉換和電源應用的紙和薄膜組合電介質(zhì)的少數(shù)制造商之一。

產(chǎn)品詳情

電源薄膜，交流應用

從標準電機運行值到大電流三相交流輸出濾波器，CDE在交流電容器設計和制造方面擁有廣泛的能力。我們的許多交流額定系列都通過了UL810認證，可用于電機、HVAC、HID照明和大型逆變器中的各種應用的故障打開操作。我們使用最優(yōu)質(zhì)的薄膜、浸漬劑和封裝系統(tǒng)，以實現(xiàn)長壽命和無電暈操作。包括功率因數(shù)校正和諧波濾波電容器，高壓電容器，微波爐電容器，電機運行和交流電源電容器，HID和鎮(zhèn)流器照明電容器，諧振電容器。

電源薄膜，直流應用
我們?yōu)橛米鳛V波器、直流鏈路、緩沖器、除顫器和脈沖電源應用的標準和定制薄膜電容器提供廣泛的功能。最高等級的金屬化薄膜用于確保最佳性能。如果標準不適用，您可以指望我們的工程專家為任何定制薄膜電容器設計提供幫助。包括直流鏈路電容器，除顫器電容器，緩沖電容器，可控硅整流電容器，直流濾波電容器。

軸向薄膜紙膜電容器

類型	描述	溫度 (°C)	電壓 (Vdc)	電壓 (Vac)	電容 (F)
150	一般用途	-55°C - 125°C	63V - 630V	-	1 nF - 3.3 μF
460M	一般用途	-55°C - 125°C	63V - 1000V	40V - 250V	4.7 nF - 100 μF
461M	一般用途	-55°C - 85°C	63V - 400V	40V - 200V	27 nF - 100 μF
704M	一般用途	-55°C - 105°C	200V - 200V	140V - 140V	1 μF - 20 μF
730P	一般用途	-55°C - 85°C	100V - 630V	-	0.02 pF - 10 pF
760M	一般用途	-55°C - 105°C	160V - 630V	100V - 250V	10 nF - 60 μF
761M	一般用途	-55°C - 85°C	160V - 630V	100V - 250V	12 nF - 65 μF
930	低損耗	-55°C - 105°C	100V - 630V	70V - 250V	22 nF - 10 μF
932	低損耗	-55°C - 105°C	250V - 700V	160V - 400V	680 nF - 30 μF
935	高紋波電流	-55°C - 105°C	100V - 400V	70V - 250V	1 μF - 30 μF

徑向薄膜紙膜電容器

類型	描述	電容 (F)	溫度 (°C)
160	通用/小盒子	2.2 nF - 10 μF	-55°C - 125°C
168	通用/小盒子	1 nF - 1 μF	-55°C - 125°C
171	通用/小盒子	2.2 nF - 3.3 μF	-55°C - 105°C
185	通用/小盒子	1 nF - 1 μF	-55°C - 125°C
225P	高 dV/dt/浸漬/橙色壓降	1 nF - 1 μF	55°C - 125°C
418P	高 dV/dt/浸漬/橙色壓降	1 nF - 1 μF	55°C - 125°C
425M	通用/浸漬/橙滴	30 nF - 12 μF	-55°C - 85°C
715P	高 dV/dt/浸漬/橙色壓降	1 nF - 470 nF	-55°C - 105°C
715P/717P	高 dV/dt/浸漬/橙色壓降	470 pF - 15 nF	-55°C - 85°C
716P	高 dV/dt/浸漬/橙色壓降	1 nF - 1 μF	-55°C - 105°C

貼片機薄膜紙膜電容器

類型	描述	溫度 (°C)	電壓 (Vdc)	電容 (F)
CB		-55°C - 125°C	100V - 500V	470 nF - 10 μF
CS	疊片，多針	-55°C - 125°C	50V - 500V	330 nF - 20 μF
FCA	SMT 薄膜，亞克力	-40°C - 85°C	10V - 16V	100 nF - 1 μF
FCN	SMT薄膜，筆	-55°C - 105°C	100V - 400V	1 nF - 1 μF
FCP	SMT薄膜、PPS	-55°C - 125°C	16V - 50V	100 pF - 220 nF

貼片機薄膜紙膜電容器

類型	描述	電容 (F)	溫度 (°C)
158X	X2 EMI抑制/小盒子	10 nF - 2.2 μF	-40°C - 100°C
MKP	EMI/RFI 抑制	4.7 nF - 10 μF	-40°C - 110°C
MPX	X2 級 85/85	10 nF - 45 μF	-40°C - 110°C
Q/QRL	電弧抑制/RC/浸漬	100 nF - 1 μF	-55°C - 85°C