DRAM

無論您的設(shè)計(jì)需要高速、低功耗、高帶寬、高密度還是超低延遲，我們的DRAM解決方案都能提供您只能從世界技術(shù)領(lǐng)袖那里獲得的最佳功能、可靠性和性能組合。

DRAM模組

您可以依靠我們的模塊來確保質(zhì)量和可靠性 - 從開始到結(jié)束 - 都在我們自己的晶圓廠。我們自己設(shè)計(jì)、制造和測試 DRAM，然后再次組裝和測試存儲器模塊，由此構(gòu)成我們廣泛的模塊組合。 圖形內(nèi)存 以我們的高密度、高帶寬 GDDR5、GDDR5X 和 GDDR6 顯存，滿足圖形處理的巨大需求。它們的離散設(shè)計(jì)簡化了集成，使其成為下一代高性能應(yīng)用的理想選擇。

托管NAND

NAND閃存對日益復(fù)雜的糾錯和數(shù)據(jù)管理的要求是擺在嵌入式設(shè)計(jì)師面前的一道難題。我們的eMMC、UFS和SSD等全托管設(shè)備通過在內(nèi)部處理媒體管理和糾錯碼（ECC），有助于近乎無縫實(shí)現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)型。托管NAND釋放了主機(jī)控制器，從而提高速度和系統(tǒng)性能——節(jié)省了大量軟硬件開發(fā)資源。我們的標(biāo)準(zhǔn)化程序包同樣簡化了設(shè)計(jì)過程，有助于縮短上市時間。

多芯片封裝

通過我們廣泛的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)MCP產(chǎn)品組合，為您的設(shè)計(jì)提供關(guān)鍵特性和功能，包括高性能、高質(zhì)量、高功效、寬密度范圍、小封裝尺寸和工業(yè)溫度范圍。

NAND閃存

我們在工藝和設(shè)計(jì)上的持續(xù)創(chuàng)新不斷推動閃存發(fā)展，不斷采用先進(jìn)技術(shù)就是其絕佳證明。我們提供多樣化的產(chǎn)品組合，其特點(diǎn)、功能和性能獨(dú)樹一幟。

NOR閃存

NOR閃存設(shè)備可用的密度高達(dá)2Gb，主要用于可靠代碼存儲（啟動、應(yīng)用程序、操作系統(tǒng)和嵌入式系統(tǒng)的就地執(zhí)行[XIP]代碼）以及頻繁更改的小數(shù)據(jù)存儲。NOR閃存為系統(tǒng)提供了易于實(shí)現(xiàn)、速度最快的可啟動存儲解決方案，并且因其底層單元結(jié)構(gòu)的緣故，所以只需極少的持續(xù)管理。NOR閃存因其底層單元結(jié)構(gòu)的緣故，天生就比其他解決方案可靠。